| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2N6653
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, | 局域网 晶体管 | |||
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2N6654
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package 在一个密封TO3金属封装的双极NPN装置 |
装置 | ||
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2N6654
中文翻译 品牌: SAVANTIC |
Silicon NPN Power Transistors 硅NPN功率晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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2N6654
中文翻译 品牌: JMNIC |
Silicon NPN Power Transistors 硅NPN功率晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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2N6654
中文翻译 品牌: NJSEMI |
HIGH SPEED/HIGH POWER SWITCHING TRANSISTORS 高速/高功率开关晶体管 |
晶体 开关 晶体管 功率双极晶体管 高功率电源 | |||
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2N6654
中文翻译 品牌: ISC |
Silicon NPN Power Transistors 硅NPN功率晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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2N6654
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal, 2 Pin | ||||
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2N6654
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin | ||||
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2N6655
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
Bipolar NPN Device 双极NPN装置 |
装置 | ||
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2N6655
中文翻译 品牌: NJSEMI |
HIGH SPEED/HIGH POWER SWITCHING TRANSISTORS 高速/高功率开关晶体管 |
晶体 开关 晶体管 高功率电源 | |||
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2N6655
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal, 2 Pin | ||||
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2N6655
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, | ||||
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2N6658
中文翻译 品牌: NJSEMI |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET N沟道增强型MOSFET |
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2N6658
中文翻译 品牌: MUSIC |
2N6658 | ||||
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2N6659
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR N沟道增强型MOS晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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2N6659
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
TMOS SWITCHING FET TRANSISTORS TMOS开关FET晶体管 |
晶体 开关 小信号场效应晶体管 | |||
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2N6659
中文翻译 品牌: NJSEMI |
TMOS SWITCHING TRANSISTOR TMOS开关晶体管 |
晶体 开关 晶体管 | |||
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2N6659
中文翻译 品牌: DIGITRON |
Polarity : N Channel; Type : Enhancement; Power Dissipation : 6.25; Maximum Drain-Source Voltage : | ||||
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2N6659B-1
中文翻译 品牌: VISHAY |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 35V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AD | 晶体管 | |||
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2N6659B-2
中文翻译 品牌: VISHAY |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 35V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AD | 晶体管 | |||
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2N6660
中文翻译 品牌: SUPERTEX |
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs N沟道增强型垂直DMOS场效应管 |
晶体 晶体管 开关 输入元件 | ||
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2N6660
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
TMOS SWITCHING FET TRANSISTORS TMOS开关FET晶体管 |
晶体 开关 小信号场效应晶体管 输入元件 | |||
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2N6660
中文翻译 品牌: VISHAY |
N-Channel 60-V (D-S) Single and Quad MOSFETs N通道60 -V （ D- S）单和四的MOSFET |
晶体 晶体管 开关 输入元件 | ||
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2N6660
中文翻译 品牌: NJSEMI |
TMOS SWITCHING TRANSISTOR TMOS开关晶体管 |
晶体 开关 晶体管 输入元件 | |||
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2N6660
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET N沟道增强型功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 输入元件 | ||
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2N6660
EDA模型
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
2N6660 is an enhancement-mode (normally-off) transistor that utilizes a vertical DMOS structure an | |||
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2N6660
中文翻译 品牌: SENSITRON |
NCH | ||||
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2N6660
中文翻译 品牌: DIGITRON |
Polarity : N Channel; Type : Enhancement; Power Dissipation : 6.25; Maximum Drain-Source Voltage : | ||||
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2N6660-2
中文翻译 品牌: VISHAY |
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET N沟道60 V （D -S ）的MOSFET |
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2N6660-E3
中文翻译 品牌: VISHAY |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.99A 3-Pin TO-205AD | 放大器 晶体管 |