| 型号等于： | 2N6766 (10) |
| 型号起始： | 2N6766* (16) 2N6766B* (1) 2N6766S* (2) 2N6766T* (3) |
| 所属品牌： | 不限 MICROSEMI(4) INFINEON(3) NJSEMI(2) FAIRCHILD(1) IXYS(1) |
| 功能分类： | 不限 局域网(2) 晶体管(2) 晶体(1) 功率场效应晶体管(1) 高压(1) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2N6766
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
200V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-204AE package - A 2N6766 with Hermetic Packaging | |||
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2N6766SCC5205/013
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA, | 局域网 晶体管 | |||
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2N6766T1
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
N-CHANNEL MOSFET N沟道MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 局域网 | ||
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2N6766T1E3
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | ||||
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2N6766TXV
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE, |
Total:51
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