| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2N678
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-3
晶体管| BJT | PNP | 20V V（ BR ） CEO | 15A I（C ） | TO- 3\n |
晶体 晶体管 | |||
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2N6781
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-39
晶体管| MOSFET | N沟道| 60V V（ BR ） DSS | 3.5AI （D ） | TO- 39\n |
晶体 晶体管 | |||
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2N6782
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
N-CHANNEL POWER MOSFET N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | ||
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2N6782
中文翻译 品牌: INFINEON |
100V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A 2N6782 with Hermetic Packaging | |||
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2N6782
中文翻译 品牌: NJSEMI |
N-CHANNEL POWER MOSFET ENHANCEMENT MODE N沟道功率MOSFET增强型 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | |||
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2N6782
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
N-CHANNEL MOSFET N沟道MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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2N6782LCC4
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
N-CHANNEL POWER MOSFET N沟道功率MOSFET |
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2N6782TX
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 开关 脉冲 晶体管 | |||
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2N6782TXV
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 开关 脉冲 晶体管 | |||
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2N6782TXV
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 开关 脉冲 晶体管 | |||
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2N6782U
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
N-CHANNEL MOSFET N沟道MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | ||
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2N6782_12
中文翻译 品牌: MAS |
This family of 2N6782, 2N6784 and 2N6786 switching transistors are military qualified up to the JANTXV level for high-reliability applications. 这家2 |
晶体 开关 晶体管 | |||
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2N6783
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | TO-39
晶体管| MOSFET | N沟道| 150V V（ BR ） DSS | 2.2AI （D ） | TO- 39\n |
晶体 晶体管 | |||
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2N6784
中文翻译 品牌: INFINEON |
200V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A 2N6784 with Hermetic Packaging | ||||
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2N6784
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39 Metal Package N沟道MOSFET在一个密封TO39金属包装 |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | ||
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2N6784
中文翻译 品牌: NJSEMI |
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE N沟道增强模式 |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | |||
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2N6784
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
N-CHANNEL MOSFET N沟道MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | ||
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2N6784
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
2.25A, 200V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET 2.25A ， 200V ， 1.500 Ohm的N通道功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | |||
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2N6784U
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
N-CHANNEL MOSFET N沟道MOSFET |
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2N6785
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | ||||
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2N6786
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39 Metal Package N沟道MOSFET在一个密封TO39金属包装 |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | ||
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2N6786
中文翻译 品牌: RENESAS |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,400V V(BR)DSS,1.2A I(D),TO-39 | 开关 脉冲 晶体管 | |||
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2N6786
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Power Field-Effect Transistor | 开关 脉冲 晶体管 | |||
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2N6786
中文翻译 品牌: NJSEMI |
N-CHANNEL ENHANCEMENTE-MODE N沟道ENHANCEMENTE -MODE |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | |||
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2N6786E3
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Power Field-Effect Transistor | ||||
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2N6786PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 1.25A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
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2N6786TX
中文翻译 品牌: RENESAS |
1.25A, 400V, 3.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF | 开关 脉冲 晶体管 | |||
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2N6787
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-39
晶体管| MOSFET | N沟道| 60V V（ BR ） DSS | 6A I（ D） | TO- 39\n |
晶体 晶体管 | |||
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2N6788E
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, | 晶体管 | |||
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2N6788E3
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, ROHS COMPLIANT, HERMETI | 脉冲 晶体管 |