| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2N7002
中文翻译 品牌: UMW |
漏源电压（Vdss）:60V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:1.15A;栅极-源极阈值电压:2.5V @ 250uA;漏源导通电阻:5Ω@0.1A,10V;最大功耗（Ta = 25°C）:225mW;种类:N-Channel;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:7Ω@0.05A,4. | 栅 栅极 | |||
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2N7002
中文翻译 品牌: RECTRON |
Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 0.3 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 1300 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ : 1.7 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 0.35 W;Vgs( | 栅 | |||
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2N7002B
中文翻译 品牌: UMW |
漏源电压（Vdss）:60V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:1.15A;栅极-源极阈值电压:2.5V @ 250uA;漏源导通电阻:5Ω@10V;最大功耗（Ta = 25°C）:225mW;种类:N-Channel;Vgs(th)(V):±20 | 栅 栅极 | |||
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2N7002BK
中文翻译 品牌: VBSEMI |
漏源电压Vdss(V):60V;额定电流Id(A):250mA;最大导通阻抗Ron(mΩ):3.3Ω 10V,200mA;类型:N沟道;最大耗散功率Pd(W):300mW;栅源耐压Vgs(V):2.5V 250μA; | 栅 | |||
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2N7002E
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low On-Resistance: RDS(ON) Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance 低导通电阻： RDS （ ON ）低栅极阈值电压低输入电容 |
晶体 栅极 晶体管 开关 光电二极管 | |||
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2N7002EM3T5G
中文翻译 品牌: TECHPUBLIC |
漏源电压Vdss(V):60V;额定电流Id(A):350mA;最大导通阻抗Ron(mΩ):1.5Ω 4.5V,200mA;类型:N沟道;最大耗散功率Pd(W):150mW;栅源耐压Vgs(V):1.85V 250uA; | 栅 | |||
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2N7002K
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low On-Resistance: RDS(ON) Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance 低导通电阻： RDS （ ON ）低栅极阈值电压低输入电容 |
晶体 栅极 晶体管 开关 光电二极管 PC | |||
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2N7002K
中文翻译 品牌: RECTRON |
Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 0.3 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 1300 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ : 1.7 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 0.35 W;Vgs( | 栅 | |||
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2N7002KB
中文翻译 品牌: VBSEMI |
漏源电压Vdss(V):60V;额定电流Id(A):250mA;最大导通阻抗Ron(mΩ):3.3Ω 10V,200mA;类型:N沟道;最大耗散功率Pd(W):300mW;栅源耐压Vgs(V):2.5V 250μA; | 栅 | |||
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2N7002KB
中文翻译 品牌: RECTRON |
Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 0.34 A;Total Gate Charge (nQ) typ : 30 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 0.35 W;Polarity : N-Channel;Mounting Style : | 栅 | |||
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2N7002KBS3
中文翻译 品牌: RECTRON |
Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 0.2 A;Total Gate Charge (nQ) typ : 0.3 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 0.2 W;Vgs(th) (typ) : 1.5 V;Input Capacitance | 栅 | |||
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2N7002KBV
中文翻译 品牌: RECTRON |
Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 0.34 A;Total Gate Charge (nQ) typ : 30 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 0.35 W;Polarity : N-Channel;Mounting Style : | 栅 | |||
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2N7002KG
中文翻译 品牌: SECOS |
N-Ch Small Signal MOSFET with Gate Protection N沟道小信号MOSFET和栅极保护 |
栅极 | |||
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2N7002KG
中文翻译 品牌: BL Galaxy Electrical |
漏源电压Vdss(V):63V;额定电流Id(A):300mA;最大导通阻抗Ron(mΩ):7.5Ω 5V,50mA;类型:N沟道;最大耗散功率Pd(W):350mW;栅源耐压Vgs(V):2.4V 250μA; | 栅 | |||
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2N7002KS6
中文翻译 品牌: RECTRON |
Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 0.25 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 1500 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ : 80 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 0.35 W;Vgs( | 栅 | |||
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2N7002KV
中文翻译 品牌: RECTRON |
Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 0.3 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 1300 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ | 栅 | |||
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2N7002P,235
EDA模型
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
漏源电压Vdss(V):60 V ;额定电流Id(A):360mA（Ta） ;最大导通阻抗Ron(mΩ):1.6 欧姆 @ 500mA，10V ;类型:N通道;栅极电荷Qg(nC):0.8 nC | 栅 栅极 | ||
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2N7002PS,115
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
漏源电压Vdss(V):60V;额定电流Id(A):320mA;最大导通阻抗Ron(mΩ):1.6 Ohm @ 500mA, 10V;类型:2 N-Channel (Dual);栅极电荷Qg(nC):0.8nC @ 4.5V;栅源耐压Vgs(V):2.4V @ 250µA;最小工作温度(℃):0;最 | 栅 栅极 | ||
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2N7002PW,115
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
漏源电压Vdss(V):60V;额定电流Id(A):310mA (Ta);最大导通阻抗Ron(mΩ):1.6 Ohm @ 500mA, 10V;类型:N-Channel;栅极电荷Qg(nC):0.8nC @ 4.5V;最大耗散功率Pd(W):260mW (Ta);栅源耐压Vgs(V):±20V;最小 | 栅 栅极 | ||
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2N7002T
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance 低导通电阻低栅极阈值电压低输入电容 |
栅极 | |||
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2N7002V
中文翻译 品牌: RECTRON |
Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 0.3 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 1300 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ | 栅 | |||
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2N7002W
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance 低导通电阻低栅极阈值电压低输入电容 |
栅极 | |||
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2N7002W_R1_00001
中文翻译 品牌: PANJIT |
漏源电压Vdss(V):60V;额定电流Id(A):115mA;最大导通阻抗Ron(mΩ):5Ω 10V,500mA;类型:N沟道;最大耗散功率Pd(W):200mW;栅源耐压Vgs(V):2.5V 250μA; | 栅 |
Total:231
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