品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2N7002E
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low On-Resistance: RDS(ON) Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance 低导通电阻: RDS ( ON )低栅极阈值电压低输入电容 |
晶体 栅极 晶体管 开关 光电二极管 | |||
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2N7002EM3T5G
中文翻译 品牌: TECHPUBLIC |
漏源电压Vdss(V):60V;额定电流Id(A):350mA;最大导通阻抗Ron(mΩ):1.5Ω 4.5V,200mA;类型:N沟道;最大耗散功率Pd(W):150mW;栅源耐压Vgs(V):1.85V 250uA; | 栅 |
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