型号等于:2N7002W_1 (1)
型号起始:2N7002W_* (11) 2N7002W_0* (3) 2N7002W_1* (8)
所属品牌:不限 PANJIT(3) DIODES(2) MCC(2) UTC(2) FAIRCHILD(1) ONSEMI(1)
功能分类:不限 晶体(6) 晶体管(6) 开关(1)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
2N7002W_05
中文翻译 品牌: PANJIT
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
N沟道增强型网络场效晶体管
晶体 晶体管
2N7002W_08
中文翻译 品牌: DIODES
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
N沟道增强型网络场效晶体管
晶体 晶体管
2N7002W_1
中文翻译 品牌: DIODES
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
N沟道增强型网络场效晶体管
晶体 晶体管
2N7002W_10
中文翻译 品牌: FAIRCHILD
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
N沟道增强型网络场效晶体管
晶体 晶体管
2N7002W_11
中文翻译 品牌: MCC
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
N沟道增强型网络场效晶体管
晶体 晶体管
2N7002W_13
中文翻译 品牌: MCC
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
N沟道增强型网络场效晶体管
晶体 晶体管
2N7002W_R1_00001
中文翻译 品牌: PANJIT
漏源电压Vdss(V):60V;额定电流Id(A):115mA;最大导通阻抗Ron(mΩ):5Ω 10V,500mA;类型:N沟道;最大耗散功率Pd(W):200mW;栅源耐压Vgs(V):2.5V 250μA;
Total:71
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