型号等于:2SB1131 (1) 2SB1132 (13) 2SB1133 (4) 2SB1134 (5) 2SB1135 (5) 2SB1136 (5)
型号起始:2SB113* (179) 2SB1130* (35) 2SB1131* (5) 2SB1132* (98) 2SB1133* (9) 2SB1134* (12) 2SB1135* (10) 2SB1136* (10)
所属品牌:不限 ROHM(52) UTC(43) ETC(14) MCC(14) JMNIC(12) CHENMKO(6) SANYO(5) ISC(4) ONSEMI(4) SAVANTIC(4) NJSEMI(3) WEITRON(3) SECOS(2) SWST(2) BL Galaxy Electrical(1) CJ(1) FOSHAN(1) HOTTECH(1) HTSEMI(1) KEXIN(1) LGE(1) TYSEMI(1) WILLAS(1) WINNERJOIN(1) Wing Shing(1)
功能分类:不限 晶体(109) 晶体管(108) 开关(46) 小信号双极晶体管(31) 放大器(9) 功率放大器(1) 输出元件(1) 局域网(1)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
2SB1132R
中文翻译 品牌: UTC
Transistor
2SB1132R
中文翻译 品牌: MCC
1000mA, 32V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
2SB1132R
中文翻译 品牌: AITSEMI
Polarity : PNP; IC (mA) : 1000; VCEO (V) : 32; hFE Min/Max : 180/390; hFE/ IC(mA)/VCE(Volts) : 100/3.0; VCE(sat) / Max(Volts) : 0.5; VCE(sat) /IC/IB(m
2SB1132R-G
中文翻译 品牌: WEITRON
Transistor
2SB1132R-G
中文翻译 品牌: UTC
Transistor 晶体 晶体管
2SB1132RGP
中文翻译 品牌: CHENMKO
Transistor, 晶体 晶体管
2SB1132RU
中文翻译 品牌: GWSEMI
Package : SOT-89; Polarity : PNP; Ic (mA) : -1000; VCEO (V) : -32; hFE = Min : 180; hFE = Max : 390; hFE = Ic (mA) : -100; hFE = VCE (V) : -3; VCE (sa
2SB1132SQ-Q
中文翻译 品牌: PJSEMI
CE结击穿电压Vceo(V):32V;最大集电极电流Ic(mA):1A;类型:PNP;最大耗散功率Pd(W):500mW;
2SB1132T100/PQ
中文翻译 品牌: ROHM
1A, 32V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR 晶体 小信号双极晶体管 放大器
2SB1132T100/PR
中文翻译 品牌: ROHM
1A, 32V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR 晶体 小信号双极晶体管 放大器
2SB1132T100/Q
中文翻译 品牌: ROHM
1000mA, 32V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPT3, SC-62, 3 PIN 开关 晶体管
2SB1132T100/R
中文翻译 品牌: ROHM
1000mA, 32V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPT3, SC-62, 3 PIN 晶体 小信号双极晶体管 放大器
2SB1132T100P
中文翻译 品牌: ROHM
Medium Power Transistor (-32V,-1A)
中等功率晶体管( -32V ,我?? -1A )
晶体 小信号双极晶体管 放大器
2SB1132T100PQ
中文翻译 品牌: ROHM
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, 放大器 晶体管
2SB1132T100PR
中文翻译 品牌: ROHM
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, 晶体 小信号双极晶体管 放大器
2SB1132T100Q
中文翻译 品牌: ROHM
CE结击穿电压Vceo(V):32 V ;最大集电极电流Ic(mA):1 A ;类型:PNP ;CE结饱和压降Vce(sat):500mV @ 50mA,500mA ;最大耗散功率Pd(W):2 W ;最大工作温度(℃):150°C(TJ) ;变换频率ft(MHz):150MHz ;元器件封装:MP
2SB1132T100QR
中文翻译 品牌: ROHM
暂无描述 晶体 小信号双极晶体管 放大器
2SB1132T100R
中文翻译 品牌: ROHM
暂无描述 晶体 小信号双极晶体管 放大器
2SB1132T101
中文翻译 品牌: ROHM
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, 开关 晶体管
2SB1132T101/P
中文翻译 品牌: ROHM
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, 开关 晶体管
2SB1132T101/PQ
中文翻译 品牌: ROHM
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, 开关 晶体管
2SB1132T101Q
中文翻译 品牌: ROHM
1000mA, 32V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1132U
中文翻译 品牌: SWST
功率三极管
2SB1132U-AH
中文翻译 品牌: SWST
功率三极管
2SB1132U-HAF
中文翻译 品牌: SWST
功率三极管
2SB1132_09
中文翻译 品牌: ROHM
Medium Power Transistor (-32V, -1A)
中等功率晶体管( -32V , -1A )
晶体 晶体管
2SB1132_1
中文翻译 品牌: UTC
Medium Power Transistor (−32V,−1A)
中等功率晶体管( -32V , -1A )
晶体 晶体管
2SB1132_10
中文翻译 品牌: SECOS
PNP Silicon Medium Power Transistor
PNP硅中功率晶体管
晶体 晶体管
2SB1132_12
中文翻译 品牌: UTC
MEDIUM POWER TRANSISTOR
中功率晶体管
晶体 晶体管
2SB1133
中文翻译 品牌: Wing Shing
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(POWER AMPLIFIER VERTICAL DEFLECTION OUTPUT)
PNP外延硅晶体管(功率放大器垂直偏转输出)
晶体 放大器 晶体管 功率放大器 输出元件
Total:1901234567
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