品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2SC2714Y
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 20MA I(C) | SC-59
晶体管| BJT | NPN | 30V V( BR ) CEO | 20MA I(C ) | SC- 59\n |
晶体 晶体管 | |||
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2SC2714Y
中文翻译 品牌: SHIKUES |
CE结击穿电压Vceo(V):20V;最大集电极电流Ic(mA):50mA;类型:NPN;CE结饱和压降Vce(sat):400mV 100mA,10mA;最大耗散功率Pd(W):225mW;变换频率ft(MHz):600MHz; | ||||
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2SC2714Y(TE85L)
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
TRANSISTOR,BJT,NPN,30V V(BR)CEO,20MA I(C),SOT-23 | ||||
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2SC2714YTE85L
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
High Frequency Amplifier Applications 高频放大器的应用 |
晶体 放大器 小信号双极晶体管 射频小信号双极晶体管 光电二极管 | |||
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2SC2714YTE85R
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
暂无描述 | 晶体 放大器 小信号双极晶体管 射频小信号双极晶体管 光电二极管 | |||
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2SC2714_07
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
Silicon NPN Epitaxial Planar Type (PCT process) NPN硅外延平面型( PCT程序) |
PC | |||
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2SC2714_0712
中文翻译 品牌: BL Galaxy Electrical |
Silicon Epitaxial Planar Transistor 硅外延平面晶体管 |
晶体 晶体管 |