品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2SC3392
中文翻译 品牌: SANYO |
High-Speed Switching Applications 高速开关应用 |
晶体 开关 晶体管 光电二极管 | |||
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2SC3392
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Adoption of FBET process. High breakdown voltage : VCEO=50V. 采用FBET过程。高击穿电压VCEO = 50V 。 |
晶体 晶体管 开关 光电二极管 | |||
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2SC3392
中文翻译 品牌: KEXIN |
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors NPN外延平面硅晶体管 |
晶体 晶体管 开关 光电二极管 | |||
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2SC3395
中文翻译 品牌: SANYO |
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors PNP / NPN外延平面硅晶体管 |
晶体 晶体管 开关 光电二极管 | |||
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2SC3396-TB
中文翻译 品牌: ONSEMI |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236 | 开关 光电二极管 晶体管 | |||
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2SC3397-TB
中文翻译 品牌: ONSEMI |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236 | 开关 光电二极管 晶体管 |
Total:61
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