品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2SC3646
中文翻译 品牌: SANYO |
High-Voltage Switching Applications 高压开关的应用 |
晶体 开关 晶体管 高压 | ||
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2SC3646
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Adoption of FBET, MBIT Processes High Breakdown Voltage and Large Current Capacity 采用FBET的, MBIT流程击穿电压高,电流容量大 |
晶体 晶体管 开关 | |||
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2SC3646
中文翻译 品牌: ONSEMI |
Bipolar Transistor High breakdown voltage and large current capacity | 开关 晶体管 | |||
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2SC3646
中文翻译 品牌: KEXIN |
High-Voltage Switching Applications 高压开关的应用 |
晶体 开关 晶体管 高压 | |||
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2SC3646R
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-89
晶体管| BJT | NPN | 100V V( BR ) CEO | 1A I(C ) | SOT- 89\n |
晶体 晶体管 开关 | |||
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2SC3646S
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-89
晶体管| BJT | NPN | 100V V( BR ) CEO | 1A I(C ) | SOT- 89\n |
晶体 晶体管 开关 | |||
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2SC3646S-TD-E
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
Bipolar Transistor High breakdown voltage and large current capacity | 开关 晶体管 |
Total:71
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