品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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EM636165TS/BE-7LG
中文翻译 品牌: ETRON |
1Mega x 16 Synchronous DRAM (SDRAM) 1Mega ×16同步DRAM (SDRAM)的 |
动态存储器 | |||
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EM639165TS-6LG
中文翻译 品牌: ETRON |
8Mega x 16 Synchronous DRAM (SDRAM) 8Mega ×16同步DRAM (SDRAM)的 |
动态存储器 | |||
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EM639165TS-7LG
中文翻译 品牌: ETRON |
8Mega x 16 Synchronous DRAM (SDRAM) 8Mega ×16同步DRAM (SDRAM)的 |
动态存储器 | |||
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EM669325BG-1H/LG
中文翻译 品牌: ETRON |
4M x 32 Low Power SDRAM (LPSDRAM) 4M ×32低功耗SDRAM ( LPSDRAM ) |
动态存储器 | |||
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EM66932ABG-1H/LG
中文翻译 品牌: ETRON |
4M x 32 Hand-Held Low Power SDRAM (LPSDRAM) 4M ×32手持式低功耗SDRAM ( LPSDRAM ) |
动态存储器 | |||
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EM6A9325BG-1H/LG
中文翻译 品牌: ETRON |
4M x 32 Low Power SDRAM (LPSDRAM) 4M ×32低功耗SDRAM ( LPSDRAM ) |
动态存储器 | |||
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GM71C4256A-60
中文翻译 品牌: LG |
262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM 262,144字×4位CMOS动态RAM |
内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
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GM71C4256A-80
中文翻译 品牌: LG |
262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM 262,144字×4位CMOS动态RAM |
内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
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GM71C4256AL-60
中文翻译 品牌: LG |
262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM 262,144字×4位CMOS动态RAM |
内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
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GM71C4256AL-80
中文翻译 品牌: LG |
262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM 262,144字×4位CMOS动态RAM |
内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
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GM71C4256ALSJ-10
中文翻译 品牌: LG |
262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM 262,144字×4位CMOS动态RAM |
内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
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GM71C4256ALSJ-60
中文翻译 品牌: LG |
262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM 262,144字×4位CMOS动态RAM |
内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
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GM71C4256ALSJ-70
中文翻译 品牌: LG |
262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM 262,144字×4位CMOS动态RAM |
内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
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GM71C4256ALSJ-80
中文翻译 品牌: LG |
262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM 262,144字×4位CMOS动态RAM |
内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
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GM71C4256ALZ-10
中文翻译 品牌: LG |
262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM 262,144字×4位CMOS动态RAM |
内存集成电路 动态存储器 | |||
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GM71C4256ALZ-60
中文翻译 品牌: LG |
262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM 262,144字×4位CMOS动态RAM |
内存集成电路 动态存储器 | |||
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GM71C4256ALZ-70
中文翻译 品牌: LG |
262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM 262,144字×4位CMOS动态RAM |
内存集成电路 动态存储器 | |||
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GM71C4256ALZ-80
中文翻译 品牌: LG |
262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM 262,144字×4位CMOS动态RAM |
内存集成电路 动态存储器 | |||
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GM71C4256ASJ-10
中文翻译 品牌: LG |
262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM 262,144字×4位CMOS动态RAM |
内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
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GM71C4256ASJ-60
中文翻译 品牌: LG |
262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM 262,144字×4位CMOS动态RAM |
内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
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GM71C4256ASJ-80
中文翻译 品牌: LG |
262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM 262,144字×4位CMOS动态RAM |
内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
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GM71C4256AZ-10
中文翻译 品牌: LG |
262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM 262,144字×4位CMOS动态RAM |
内存集成电路 动态存储器 | |||
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GM71C4256AZ-60
中文翻译 品牌: LG |
262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM 262,144字×4位CMOS动态RAM |
内存集成电路 动态存储器 | |||
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GM71C4256AZ-70
中文翻译 品牌: LG |
262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM 262,144字×4位CMOS动态RAM |
内存集成电路 动态存储器 | |||
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GM71C4256AZ-80
中文翻译 品牌: LG |
262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM 262,144字×4位CMOS动态RAM |
内存集成电路 动态存储器 | |||
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GM71C4256B-70
中文翻译 品牌: LG |
New Generation Dynamic RAM 新一代动态RAM |
内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
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GM71C4256BJ-60
中文翻译 品牌: LG |
New Generation Dynamic RAM 新一代动态RAM |
内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
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GM71C4256BJ-70
中文翻译 品牌: LG |
New Generation Dynamic RAM 新一代动态RAM |
内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
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GM71C4256BL-80
中文翻译 品牌: LG |
New Generation Dynamic RAM 新一代动态RAM |
内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
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GM71C4256BLJ-60
中文翻译 品牌: LG |
New Generation Dynamic RAM 新一代动态RAM |
内存集成电路 光电二极管 动态存储器 |