| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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3EZ100D/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:2 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ100D10/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ100D10E3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ100D10E3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ100D2/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ100D2/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ100D2E3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ100D5E3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ100D5E3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ100DE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ100DE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ10D/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:3 µA @ 7.6 V;额定稳压值(Vz):10 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ10D/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:3 µA @ 7.6 V;额定稳压值(Vz):10 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ10D10/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:3 µA @ 7.6 V;额定稳压值(Vz):10 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ10D10E3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:3 µA @ 7.6 V;额定稳压值(Vz):10 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ10D10E3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:3 µA @ 7.6 V;额定稳压值(Vz):10 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ10D2/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:3 µA @ 7.6 V;额定稳压值(Vz):10 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ10D2E3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:3 µA @ 7.6 V;额定稳压值(Vz):10 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ10D5/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:3 µA @ 7.6 V;额定稳压值(Vz):10 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ10D5E3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:3 µA @ 7.6 V;额定稳压值(Vz):10 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ10DE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:3 µA @ 7.6 V;额定稳压值(Vz):10 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ110D/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 83.6 V;额定稳压值(Vz):110 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ110D/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 83.6 V;额定稳压值(Vz):110 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ110D10/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 83.6 V;额定稳压值(Vz):110 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ110D10/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 83.6 V;额定稳压值(Vz):110 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ110D10E3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 83.6 V;额定稳压值(Vz):110 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ110D10E3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 83.6 V;额定稳压值(Vz):110 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ110D2/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 83.6 V;额定稳压值(Vz):110 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ110D2/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 83.6 V;额定稳压值(Vz):110 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ110D5/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 83.6 V;额定稳压值(Vz):110 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 |