型号等于：	3EZ10 (6) 3EZ100 (4) 3EZ10S (1)
型号起始：	3EZ10* (136) 3EZ100* (65) 3EZ10D* (64) 3EZ10S* (1)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(79) MCC(7) ETC(6) MOTOROLA(5) EIC(4) SECOS(4) SUNMATE(4) ONSEMI(3) PANJIT(3) WTE(3) DIOTEC(2) GOOD-ARK(2) LGE(2) NJSEMI(2) SEMIKRON(2) SYNSEMI(2) WON-TOP(2) TRSYS(1)
功能分类：	不限测试(48) 二极管(55) 光电二极管(21) 稳压二极管(16) 齐纳二极管(19) IOT(4) 稳压器(1)

3EZ10 - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：21

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		3EZ100D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:2 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ100D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ100D10E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ100D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ100D2/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ100D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ100D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ100D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ100D5E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ100DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ100DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ10D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:3 µA @ 7.6 V;额定稳压值(Vz):10 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ10D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:3 µA @ 7.6 V;额定稳压值(Vz):10 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ10D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:3 µA @ 7.6 V;额定稳压值(Vz):10 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ10D10E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:3 µA @ 7.6 V;额定稳压值(Vz):10 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ10D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:3 µA @ 7.6 V;额定稳压值(Vz):10 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ10D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:3 µA @ 7.6 V;额定稳压值(Vz):10 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ10D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:3 µA @ 7.6 V;额定稳压值(Vz):10 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ10D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:3 µA @ 7.6 V;额定稳压值(Vz):10 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ10D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:3 µA @ 7.6 V;额定稳压值(Vz):10 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ10DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:3 µA @ 7.6 V;额定稳压值(Vz):10 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管

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