型号等于：	3EZ10D1 (1) 3EZ10D2 (1) 3EZ10D5 (11)
型号起始：	3EZ10D* (64) 3EZ10D/* (2) 3EZ10D1* (14) 3EZ10D2* (7) 3EZ10D3* (1) 3EZ10D4* (3) 3EZ10D5* (32) 3EZ10DE* (3) 3EZ10DT* (2)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(37) MCC(7) ONSEMI(3) EIC(2) ETC(2) MOTOROLA(2) SECOS(2) SUNMATE(2) WTE(2) GOOD-ARK(1) LGE(1) NJSEMI(1) SYNSEMI(1) WON-TOP(1)
功能分类：	不限测试(13) 二极管(23) 光电二极管(10) 稳压二极管(8) 齐纳二极管(6) 稳压器(1)

3EZ10D - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：10

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		3EZ10D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:3 µA @ 7.6 V;额定稳压值(Vz):10 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ10D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:3 µA @ 7.6 V;额定稳压值(Vz):10 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ10D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:3 µA @ 7.6 V;额定稳压值(Vz):10 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ10D10E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:3 µA @ 7.6 V;额定稳压值(Vz):10 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ10D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:3 µA @ 7.6 V;额定稳压值(Vz):10 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ10D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:3 µA @ 7.6 V;额定稳压值(Vz):10 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ10D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:3 µA @ 7.6 V;额定稳压值(Vz):10 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ10D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:3 µA @ 7.6 V;额定稳压值(Vz):10 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ10D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:3 µA @ 7.6 V;额定稳压值(Vz):10 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ10DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:3 µA @ 7.6 V;额定稳压值(Vz):10 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管

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