型号等于:3EZ110D (2) 3EZ110D1 (1) 3EZ110D2 (1) 3EZ110D3 (1) 3EZ110D4 (1) 3EZ110D5 (10)
型号起始:3EZ110D* (67) 3EZ110D/* (2) 3EZ110D1* (15) 3EZ110D2* (9) 3EZ110D3* (5) 3EZ110D4* (5) 3EZ110D5* (24) 3EZ110DE* (4) 3EZ110DT* (1)
所属品牌:不限 MICROSEMI(45) MOTOROLA(5) WTE(3) EIC(2) ETC(2) SECOS(2) SUNMATE(2) GOOD-ARK(1) LGE(1) NJSEMI(1) SYNSEMI(1) WON-TOP(1)
功能分类:不限 测试(37) 二极管(33) 光电二极管(11) 齐纳二极管(7) 稳压二极管(5)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
3EZ110D/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±20%;最大耗散功率(PD):3 W;反向电流(Ir):500 nA @ 83.6 V;额定稳压值(Vz):110 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
3EZ110D/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±20%;最大耗散功率(PD):3 W;反向电流(Ir):500 nA @ 83.6 V;额定稳压值(Vz):110 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
3EZ110D10/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±10%;最大耗散功率(PD):3 W;反向电流(Ir):500 nA @ 83.6 V;额定稳压值(Vz):110 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
3EZ110D10/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±10%;最大耗散功率(PD):3 W;反向电流(Ir):500 nA @ 83.6 V;额定稳压值(Vz):110 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
3EZ110D10E3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±10%;最大耗散功率(PD):3 W;反向电流(Ir):500 nA @ 83.6 V;额定稳压值(Vz):110 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
3EZ110D10E3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±10%;最大耗散功率(PD):3 W;反向电流(Ir):500 nA @ 83.6 V;额定稳压值(Vz):110 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
3EZ110D2/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):3 W;反向电流(Ir):500 nA @ 83.6 V;额定稳压值(Vz):110 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
3EZ110D2/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):3 W;反向电流(Ir):500 nA @ 83.6 V;额定稳压值(Vz):110 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
3EZ110D5/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±5%;最大耗散功率(PD):3 W;反向电流(Ir):500 nA @ 83.6 V;额定稳压值(Vz):110 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
3EZ110D5E3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±5%;最大耗散功率(PD):3 W;反向电流(Ir):500 nA @ 83.6 V;额定稳压值(Vz):110 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
3EZ110DE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±20%;最大耗散功率(PD):3 W;反向电流(Ir):500 nA @ 83.6 V;额定稳压值(Vz):110 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
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