型号等于：	3EZ11D (2) 3EZ11D1 (1) 3EZ11D2 (1) 3EZ11D3 (1) 3EZ11D4 (1) 3EZ11D5 (11)
型号起始：	3EZ11D* (69) 3EZ11D/* (2) 3EZ11D1* (14) 3EZ11D2* (8) 3EZ11D3* (4) 3EZ11D4* (5) 3EZ11D5* (29) 3EZ11DE* (4) 3EZ11DT* (1)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(40) MCC(7) MOTOROLA(5) ETC(3) EIC(2) SECOS(2) SUNMATE(2) WTE(2) GOOD-ARK(1) LGE(1) NJSEMI(1) SYNSEMI(1) WON-TOP(1)
功能分类：	不限测试(39) 二极管(32) 光电二极管(9) 稳压二极管(9) 齐纳二极管(10)

3EZ11D - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：9

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		3EZ11D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:1 µA @ 8.4 V;额定稳压值(Vz):11 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ11D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:1 µA @ 8.4 V;额定稳压值(Vz):11 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ11D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:1 µA @ 8.4 V;额定稳压值(Vz):11 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ11D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:1 µA @ 8.4 V;额定稳压值(Vz):11 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ11D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:1 µA @ 8.4 V;额定稳压值(Vz):11 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ11D5-TP 中文翻译品牌: MCC	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:1 µA @ 8.4 V;额定稳压值(Vz):11 V;元器件封装:DO-15;	光电二极管
		3EZ11D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:1 µA @ 8.4 V;额定稳压值(Vz):11 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ11D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:1 µA @ 8.4 V;额定稳压值(Vz):11 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ11DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:1 µA @ 8.4 V;额定稳压值(Vz):11 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管

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