型号等于：	3EZ12 (8) 3EZ120 (5) 3EZ12D (1) 3EZ12S (1)
型号起始：	3EZ12* (143) 3EZ120* (67) 3EZ12D* (67) 3EZ12S* (1)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(78) MOTOROLA(11) MCC(9) WTE(6) EIC(4) ETC(4) SECOS(4) SUNMATE(4) PANJIT(3) DIOTEC(2) GOOD-ARK(2) LGE(2) NJSEMI(2) SEMIKRON(2) SYNSEMI(2) TRSYS(2) WON-TOP(2)
功能分类：	不限测试(84) 二极管(74) 光电二极管(12) 稳压二极管(17) 齐纳二极管(17) IOT(9)

3EZ12 - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：12

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		3EZ120D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 91.2 V;额定稳压值(Vz):120 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ120D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 91.2 V;额定稳压值(Vz):120 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ120D2/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 91.2 V;额定稳压值(Vz):120 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ120D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 91.2 V;额定稳压值(Vz):120 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ120D2E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 91.2 V;额定稳压值(Vz):120 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ120D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 91.2 V;额定稳压值(Vz):120 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ120DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 91.2 V;额定稳压值(Vz):120 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ120DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 91.2 V;额定稳压值(Vz):120 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ12D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:1 µA @ 9.1 V;额定稳压值(Vz):12 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ12D2E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:1 µA @ 9.1 V;额定稳压值(Vz):12 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ12D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:1 µA @ 9.1 V;额定稳压值(Vz):12 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ12D5/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:1 µA @ 9.1 V;额定稳压值(Vz):12 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管

Total:121

总12条记录，每页显示30条记录分1页显示。