型号等于:3EZ12D (2) 3EZ12D1 (1) 3EZ12D2 (1) 3EZ12D3 (1) 3EZ12D4 (1) 3EZ12D5 (11)
型号起始:3EZ12D* (68) 3EZ12D/* (2) 3EZ12D1* (15) 3EZ12D2* (8) 3EZ12D3* (5) 3EZ12D4* (4) 3EZ12D5* (28) 3EZ12DE* (2) 3EZ12DT* (2)
所属品牌:不限 MICROSEMI(39) MCC(7) MOTOROLA(6) EIC(2) ETC(2) SECOS(2) SUNMATE(2) WTE(2) GOOD-ARK(1) LGE(1) NJSEMI(1) SYNSEMI(1) WON-TOP(1)
功能分类:不限 测试(37) 二极管(35) 稳压二极管(8) 齐纳二极管(9) 光电二极管(4)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
3EZ12D2/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):3 W;反向电流(Ir):1 µA @ 9.1 V;额定稳压值(Vz):12 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
3EZ12D2E3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):3 W;反向电流(Ir):1 µA @ 9.1 V;额定稳压值(Vz):12 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
3EZ12D2E3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):3 W;反向电流(Ir):1 µA @ 9.1 V;额定稳压值(Vz):12 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
3EZ12D5/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±5%;最大耗散功率(PD):3 W;反向电流(Ir):1 µA @ 9.1 V;额定稳压值(Vz):12 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
Total:41
总4条记录,每页显示30条记录分1页显示。