型号等于：	3EZ13 (8) 3EZ130 (5) 3EZ13S (1)
型号起始：	3EZ13* (152) 3EZ13-* (1) 3EZ130* (69) 3EZ13D* (73) 3EZ13S* (1)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(83) MCC(11) MOTOROLA(7) WTE(7) EIC(4) ETC(4) ONSEMI(4) SECOS(4) SUNMATE(4) PANJIT(3) DIOTEC(2) GOOD-ARK(2) LGE(2) NJSEMI(2) SEMIKRON(2) SYNSEMI(2) TRSYS(2) WON-TOP(2) ROCHESTER(1)
功能分类：	不限测试(82) 二极管(67) 光电二极管(13) 稳压二极管(20) 齐纳二极管(23) IOT(5) 稳压器(2)

3EZ13 - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：13

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		3EZ130D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 98.8 V;额定稳压值(Vz):130 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ130D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 98.8 V;额定稳压值(Vz):130 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ130D2/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 98.8 V;额定稳压值(Vz):130 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ130D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 98.8 V;额定稳压值(Vz):130 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ130D2E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 98.8 V;额定稳压值(Vz):130 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ130D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 98.8 V;额定稳压值(Vz):130 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ130DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 98.8 V;额定稳压值(Vz):130 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ13D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 9.9 V;额定稳压值(Vz):13 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ13D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 9.9 V;额定稳压值(Vz):13 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ13D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 9.9 V;额定稳压值(Vz):13 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ13D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 9.9 V;额定稳压值(Vz):13 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ13DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 9.9 V;额定稳压值(Vz):13 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ13DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 9.9 V;额定稳压值(Vz):13 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管

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