型号等于：	3EZ14 (4) 3EZ140 (3)
型号起始：	3EZ14* (134) 3EZ140* (64) 3EZ14D* (66)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(77) MCC(12) MOTOROLA(11) ETC(5) EIC(4) SECOS(4) SUNMATE(4) GOOD-ARK(2) NJSEMI(2) PANJIT(2) SYNSEMI(2) TRSYS(2) WON-TOP(2) WTE(2) LGE(1)
功能分类：	不限测试(77) 二极管(63) 光电二极管(16) 稳压二极管(20) 齐纳二极管(14)

3EZ14 - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：16

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		3EZ140D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 106.4 V;额定稳压值(Vz):140 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ140D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 106.4 V;额定稳压值(Vz):140 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ140D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 106.4 V;额定稳压值(Vz):140 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ140D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 106.4 V;额定稳压值(Vz):140 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ140D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 106.4 V;额定稳压值(Vz):140 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ140D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 106.4 V;额定稳压值(Vz):140 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ140D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 106.4 V;额定稳压值(Vz):140 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ14D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 10.6 V;额定稳压值(Vz):14 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ14D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 10.6 V;额定稳压值(Vz):14 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ14D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 10.6 V;额定稳压值(Vz):14 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ14D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 10.6 V;额定稳压值(Vz):14 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ14D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 10.6 V;额定稳压值(Vz):14 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ14D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 10.6 V;额定稳压值(Vz):14 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ14D5E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 10.6 V;额定稳压值(Vz):14 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ14DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 10.6 V;额定稳压值(Vz):14 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ14DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 10.6 V;额定稳压值(Vz):14 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管

Total:161

总16条记录，每页显示30条记录分1页显示。