型号等于：	3EZ140 (6)
型号起始：	3EZ140* (67) 3EZ140-* (2) 3EZ140D* (59)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(40) MOTOROLA(5) ETC(3) MCC(3) EIC(2) SECOS(2) SUNMATE(2) GOOD-ARK(1) NJSEMI(1) PANJIT(1) SYNSEMI(1) TRSYS(1) WON-TOP(1) WTE(1)
功能分类：	不限测试(39) 二极管(33) 光电二极管(7) 齐纳二极管(8) 稳压二极管(6)

3EZ140 - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：7

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		3EZ140D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 106.4 V;额定稳压值(Vz):140 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ140D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 106.4 V;额定稳压值(Vz):140 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ140D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 106.4 V;额定稳压值(Vz):140 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ140D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 106.4 V;额定稳压值(Vz):140 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ140D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 106.4 V;额定稳压值(Vz):140 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ140D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 106.4 V;额定稳压值(Vz):140 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ140D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 106.4 V;额定稳压值(Vz):140 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管

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