型号等于：	3EZ14D1 (1) 3EZ14D2 (1) 3EZ14D3 (1) 3EZ14D4 (1) 3EZ14D5 (11)
型号起始：	3EZ14D* (66) 3EZ14D/* (2) 3EZ14D1* (13) 3EZ14D2* (9) 3EZ14D3* (4) 3EZ14D4* (5) 3EZ14D5* (29) 3EZ14DE* (2) 3EZ14DT* (2)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(37) MCC(9) MOTOROLA(6) EIC(2) ETC(2) SECOS(2) SUNMATE(2) GOOD-ARK(1) LGE(1) NJSEMI(1) SYNSEMI(1) WON-TOP(1) WTE(1)
功能分类：	不限测试(36) 二极管(30) 光电二极管(9) 稳压二极管(12) 齐纳二极管(6)

3EZ14D - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：9

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		3EZ14D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 10.6 V;额定稳压值(Vz):14 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ14D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 10.6 V;额定稳压值(Vz):14 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ14D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 10.6 V;额定稳压值(Vz):14 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ14D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 10.6 V;额定稳压值(Vz):14 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ14D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 10.6 V;额定稳压值(Vz):14 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ14D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 10.6 V;额定稳压值(Vz):14 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ14D5E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 10.6 V;额定稳压值(Vz):14 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ14DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 10.6 V;额定稳压值(Vz):14 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ14DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 10.6 V;额定稳压值(Vz):14 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管

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