型号等于：	3EZ15 (8) 3EZ150 (5) 3EZ15D (1) 3EZ15S (1)
型号起始：	3EZ15* (154) 3EZ150* (72) 3EZ15D* (73) 3EZ15S* (1)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(86) MCC(10) MOTOROLA(9) WTE(6) EIC(4) ETC(4) SECOS(4) SUNMATE(4) ONSEMI(3) PANJIT(3) DIOTEC(2) GOOD-ARK(2) LGE(2) NJSEMI(2) SEMIKRON(2) SYNSEMI(2) TRSYS(2) WON-TOP(2) ROCHESTER(1)
功能分类：	不限测试(92) 二极管(80) 光电二极管(16) 稳压二极管(18) 齐纳二极管(20) IOT(5) 稳压器(1)

3EZ15 - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：16

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		3EZ150D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 114 V;额定稳压值(Vz):150 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ150D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 114 V;额定稳压值(Vz):150 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ150D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 114 V;额定稳压值(Vz):150 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ150D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 114 V;额定稳压值(Vz):150 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ150D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 114 V;额定稳压值(Vz):150 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ150D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 114 V;额定稳压值(Vz):150 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ150D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 114 V;额定稳压值(Vz):150 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ150DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 114 V;额定稳压值(Vz):150 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ15D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 11.4 V;额定稳压值(Vz):15 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ15D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 11.4 V;额定稳压值(Vz):15 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ15D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 11.4 V;额定稳压值(Vz):15 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ15D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 11.4 V;额定稳压值(Vz):15 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ15D2E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 11.4 V;额定稳压值(Vz):15 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ15D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 11.4 V;额定稳压值(Vz):15 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ15D5E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 11.4 V;额定稳压值(Vz):15 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ15DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 11.4 V;额定稳压值(Vz):15 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管

Total:161

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