型号等于：	3EZ150 (10)
型号起始：	3EZ150* (77) 3EZ150-* (1) 3EZ150D* (66)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(44) MOTOROLA(5) WTE(4) EIC(2) ETC(2) MCC(2) SECOS(2) SUNMATE(2) DIOTEC(1) GOOD-ARK(1) LGE(1) NJSEMI(1) PANJIT(1) SEMIKRON(1) SYNSEMI(1) TRSYS(1) WON-TOP(1)
功能分类：	不限测试(46) 二极管(40) 光电二极管(8) 齐纳二极管(6) IOT(5) 稳压二极管(7)

3EZ150 - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：8

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		3EZ150D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 114 V;额定稳压值(Vz):150 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ150D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 114 V;额定稳压值(Vz):150 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ150D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 114 V;额定稳压值(Vz):150 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ150D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 114 V;额定稳压值(Vz):150 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ150D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 114 V;额定稳压值(Vz):150 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ150D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 114 V;额定稳压值(Vz):150 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ150D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 114 V;额定稳压值(Vz):150 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ150DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 114 V;额定稳压值(Vz):150 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管

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