型号等于：	3EZ150D1 (1) 3EZ150D2 (1) 3EZ150D3 (1) 3EZ150D4 (1) 3EZ150D5 (10)
型号起始：	3EZ150D* (66) 3EZ150D/* (2) 3EZ150D1* (16) 3EZ150D2* (9) 3EZ150D3* (5) 3EZ150D4* (5) 3EZ150D5* (25) 3EZ150DE* (3) 3EZ150DT* (1)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(44) MOTOROLA(5) WTE(4) EIC(2) ETC(2) SECOS(2) SUNMATE(2) GOOD-ARK(1) LGE(1) NJSEMI(1) SYNSEMI(1) WON-TOP(1)
功能分类：	不限测试(40) 二极管(36) 光电二极管(8) 齐纳二极管(4) 稳压二极管(5)

3EZ150D - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：8

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		3EZ150D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 114 V;额定稳压值(Vz):150 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ150D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 114 V;额定稳压值(Vz):150 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ150D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 114 V;额定稳压值(Vz):150 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ150D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 114 V;额定稳压值(Vz):150 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ150D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 114 V;额定稳压值(Vz):150 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ150D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 114 V;额定稳压值(Vz):150 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ150D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 114 V;额定稳压值(Vz):150 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ150DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 114 V;额定稳压值(Vz):150 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管

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