型号等于：	3EZ16 (8) 3EZ160 (5)
型号起始：	3EZ16* (151) 3EZ160* (66) 3EZ16D* (77)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(83) MOTOROLA(9) MCC(8) ETC(5) ONSEMI(5) WTE(5) EIC(4) SECOS(4) SUNMATE(4) NJSEMI(3) DIOTEC(2) GOOD-ARK(2) LGE(2) PANJIT(2) SEMIKRON(2) SYNSEMI(2) TRSYS(2) WON-TOP(2) ROCHESTER(1)
功能分类：	不限测试(92) 二极管(78) 光电二极管(19) 稳压二极管(18) 齐纳二极管(17) IOT(9) 稳压器(3)

3EZ16 - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：19

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		3EZ160D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 121.6 V;额定稳压值(Vz):160 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ160D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 121.6 V;额定稳压值(Vz):160 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ160D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 121.6 V;额定稳压值(Vz):160 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ160D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 121.6 V;额定稳压值(Vz):160 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ160D10E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 121.6 V;额定稳压值(Vz):160 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ160D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 121.6 V;额定稳压值(Vz):160 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ160D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 121.6 V;额定稳压值(Vz):160 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ160D5/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 121.6 V;额定稳压值(Vz):160 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ160DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 121.6 V;额定稳压值(Vz):160 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ16D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 12.2 V;额定稳压值(Vz):16 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ16D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 12.2 V;额定稳压值(Vz):16 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ16D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 12.2 V;额定稳压值(Vz):16 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ16D10E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 12.2 V;额定稳压值(Vz):16 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ16D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 12.2 V;额定稳压值(Vz):16 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ16D2E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 12.2 V;额定稳压值(Vz):16 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ16D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 12.2 V;额定稳压值(Vz):16 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ16D5/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 12.2 V;额定稳压值(Vz):16 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ16D5E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 12.2 V;额定稳压值(Vz):16 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ16DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 12.2 V;额定稳压值(Vz):16 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管

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