型号等于：	3EZ160 (10)
型号起始：	3EZ160* (71) 3EZ160-* (1) 3EZ160D* (60)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(41) ETC(3) MOTOROLA(3) EIC(2) MCC(2) SECOS(2) SUNMATE(2) WTE(2) DIOTEC(1) GOOD-ARK(1) LGE(1) NJSEMI(1) PANJIT(1) SEMIKRON(1) SYNSEMI(1) TRSYS(1) WON-TOP(1)
功能分类：	不限测试(44) 二极管(38) 光电二极管(9) 齐纳二极管(8) 稳压二极管(7) IOT(5)

3EZ160 - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：9

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		3EZ160D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 121.6 V;额定稳压值(Vz):160 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ160D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 121.6 V;额定稳压值(Vz):160 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ160D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 121.6 V;额定稳压值(Vz):160 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ160D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 121.6 V;额定稳压值(Vz):160 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ160D10E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 121.6 V;额定稳压值(Vz):160 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ160D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 121.6 V;额定稳压值(Vz):160 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ160D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 121.6 V;额定稳压值(Vz):160 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ160D5/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 121.6 V;额定稳压值(Vz):160 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ160DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 121.6 V;额定稳压值(Vz):160 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管

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