型号等于：	3EZ17 (4) 3EZ170 (3) 3EZ17D (1)
型号起始：	3EZ17* (133) 3EZ17-* (1) 3EZ170* (62) 3EZ17D* (66)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(81) MCC(10) MOTOROLA(8) EIC(4) ETC(4) SECOS(4) SUNMATE(4) WTE(3) GOOD-ARK(2) NJSEMI(2) PANJIT(2) SYNSEMI(2) TRSYS(2) WON-TOP(2) LGE(1)
功能分类：	不限测试(76) 二极管(63) 光电二极管(23) 稳压二极管(18) 齐纳二极管(17)

3EZ17 - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：23

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		3EZ170D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 130.4 V;额定稳压值(Vz):170 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ170D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 130.4 V;额定稳压值(Vz):170 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ170D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 130.4 V;额定稳压值(Vz):170 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ170D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 130.4 V;额定稳压值(Vz):170 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ170D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 130.4 V;额定稳压值(Vz):170 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ170D2E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 130.4 V;额定稳压值(Vz):170 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ170D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 130.4 V;额定稳压值(Vz):170 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ170D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 130.4 V;额定稳压值(Vz):170 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ170D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 130.4 V;额定稳压值(Vz):170 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ170DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 130.4 V;额定稳压值(Vz):170 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ17D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 13 V;额定稳压值(Vz):17 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ17D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 13 V;额定稳压值(Vz):17 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ17D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 13 V;额定稳压值(Vz):17 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ17D10E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 13 V;额定稳压值(Vz):17 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ17D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 13 V;额定稳压值(Vz):17 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ17D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 13 V;额定稳压值(Vz):17 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ17D2E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 13 V;额定稳压值(Vz):17 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ17D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 13 V;额定稳压值(Vz):17 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ17D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 13 V;额定稳压值(Vz):17 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ17D5/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 13 V;额定稳压值(Vz):17 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ17D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 13 V;额定稳压值(Vz):17 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ17DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 13 V;额定稳压值(Vz):17 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ17DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 13 V;额定稳压值(Vz):17 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管

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