型号等于：	3EZ170D1 (1) 3EZ170D2 (1) 3EZ170D3 (1) 3EZ170D4 (1) 3EZ170D5 (8)
型号起始：	3EZ170D* (58) 3EZ170D/* (2) 3EZ170D1* (15) 3EZ170D2* (8) 3EZ170D3* (4) 3EZ170D4* (4) 3EZ170D5* (20) 3EZ170DE* (4) 3EZ170DT* (1)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(41) MOTOROLA(3) EIC(2) ETC(2) SECOS(2) SUNMATE(2) WTE(2) GOOD-ARK(1) NJSEMI(1) SYNSEMI(1) WON-TOP(1)
功能分类：	不限测试(33) 二极管(30) 光电二极管(10) 齐纳二极管(7) 稳压二极管(4)

3EZ170D - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：11

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		3EZ170D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 130.4 V;额定稳压值(Vz):170 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ170D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 130.4 V;额定稳压值(Vz):170 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ170D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 130.4 V;额定稳压值(Vz):170 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ170D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 130.4 V;额定稳压值(Vz):170 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ170D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 130.4 V;额定稳压值(Vz):170 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ170D2E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 130.4 V;额定稳压值(Vz):170 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ170D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 130.4 V;额定稳压值(Vz):170 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ170D5 中文翻译品牌: GWSEMI	Package : DO-15; PD (W) : 3; Vz @ IZT (Nom) : 170; IR (uA) : 0.5; VR (V) : 130.4;	光电二极管
		3EZ170D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 130.4 V;额定稳压值(Vz):170 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ170D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 130.4 V;额定稳压值(Vz):170 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ170DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 130.4 V;额定稳压值(Vz):170 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管

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