型号等于：	3EZ18 (8) 3EZ180 (5) 3EZ18S (1)
型号起始：	3EZ18* (147) 3EZ18-* (1) 3EZ180* (68) 3EZ18D* (69) 3EZ18S* (1)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(78) MCC(11) MOTOROLA(10) ETC(5) ONSEMI(5) EIC(4) SECOS(4) SUNMATE(4) PANJIT(3) WTE(3) DIOTEC(2) GOOD-ARK(2) LGE(2) NJSEMI(2) SEMIKRON(2) SYNSEMI(2) TRSYS(2) WON-TOP(2)
功能分类：	不限测试(81) 二极管(67) 光电二极管(24) 稳压二极管(21) 齐纳二极管(23) IOT(5) 稳压器(2)

3EZ18 - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：24

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		3EZ180D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 136.8 V;额定稳压值(Vz):180 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ180D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 136.8 V;额定稳压值(Vz):180 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ180D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 136.8 V;额定稳压值(Vz):180 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ180D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 136.8 V;额定稳压值(Vz):180 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ180D10E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 136.8 V;额定稳压值(Vz):180 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ180D2/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 136.8 V;额定稳压值(Vz):180 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ180D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 136.8 V;额定稳压值(Vz):180 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ180D2E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 136.8 V;额定稳压值(Vz):180 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ180D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 136.8 V;额定稳压值(Vz):180 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ180D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 136.8 V;额定稳压值(Vz):180 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ180D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 136.8 V;额定稳压值(Vz):180 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ180DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 136.8 V;额定稳压值(Vz):180 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ180DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 136.8 V;额定稳压值(Vz):180 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ18D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 13.7 V;额定稳压值(Vz):18 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ18D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 13.7 V;额定稳压值(Vz):18 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ18D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 13.7 V;额定稳压值(Vz):18 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ18D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 13.7 V;额定稳压值(Vz):18 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ18D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 13.7 V;额定稳压值(Vz):18 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ18D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 13.7 V;额定稳压值(Vz):18 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ18D5/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 13.7 V;额定稳压值(Vz):18 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ18D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 13.7 V;额定稳压值(Vz):18 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ18D5E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 13.7 V;额定稳压值(Vz):18 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ18DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 13.7 V;额定稳压值(Vz):18 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ18DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 13.7 V;额定稳压值(Vz):18 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管

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