型号等于：	3EZ19 (4) 3EZ190 (3)
型号起始：	3EZ19* (137) 3EZ190* (67) 3EZ19D* (66)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(83) MOTOROLA(11) MCC(8) ETC(5) EIC(4) SECOS(4) SUNMATE(4) WTE(3) GOOD-ARK(2) NJSEMI(2) PANJIT(2) SYNSEMI(2) TRSYS(2) WON-TOP(2) LGE(1)
功能分类：	不限测试(72) 二极管(61) 光电二极管(25) 稳压二极管(16) 齐纳二极管(16)

3EZ19 - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：25

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		3EZ190D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 144.8 V;额定稳压值(Vz):190 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ190D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 144.8 V;额定稳压值(Vz):190 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ190D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 144.8 V;额定稳压值(Vz):190 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ190D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 144.8 V;额定稳压值(Vz):190 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ190D10E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 144.8 V;额定稳压值(Vz):190 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ190D2/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 144.8 V;额定稳压值(Vz):190 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ190D2E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 144.8 V;额定稳压值(Vz):190 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ190D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 144.8 V;额定稳压值(Vz):190 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ190D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 144.8 V;额定稳压值(Vz):190 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ190D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 144.8 V;额定稳压值(Vz):190 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ190DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 144.8 V;额定稳压值(Vz):190 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ190DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 144.8 V;额定稳压值(Vz):190 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ19D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 14.4 V;额定稳压值(Vz):19 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ19D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 14.4 V;额定稳压值(Vz):19 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ19D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 14.4 V;额定稳压值(Vz):19 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ19D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 14.4 V;额定稳压值(Vz):19 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ19D2/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 14.4 V;额定稳压值(Vz):19 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ19D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 14.4 V;额定稳压值(Vz):19 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ19D2E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 14.4 V;额定稳压值(Vz):19 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ19D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 14.4 V;额定稳压值(Vz):19 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ19D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 14.4 V;额定稳压值(Vz):19 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ19D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 14.4 V;额定稳压值(Vz):19 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ19D5E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 14.4 V;额定稳压值(Vz):19 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ19DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 14.4 V;额定稳压值(Vz):19 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ19DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 14.4 V;额定稳压值(Vz):19 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管

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