型号等于：	3EZ190D1 (1) 3EZ190D2 (1) 3EZ190D3 (1) 3EZ190D4 (1) 3EZ190D5 (9)
型号起始：	3EZ190D* (63) 3EZ190D/* (2) 3EZ190D1* (16) 3EZ190D2* (9) 3EZ190D3* (4) 3EZ190D4* (5) 3EZ190D5* (23) 3EZ190DE* (3) 3EZ190DT* (1)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(43) MOTOROLA(5) ETC(3) EIC(2) SECOS(2) SUNMATE(2) WTE(2) GOOD-ARK(1) NJSEMI(1) SYNSEMI(1) WON-TOP(1)
功能分类：	不限测试(33) 二极管(31) 光电二极管(12) 稳压二极管(4) 齐纳二极管(7)

3EZ190D - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：12

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		3EZ190D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 144.8 V;额定稳压值(Vz):190 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ190D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 144.8 V;额定稳压值(Vz):190 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ190D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 144.8 V;额定稳压值(Vz):190 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ190D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 144.8 V;额定稳压值(Vz):190 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ190D10E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 144.8 V;额定稳压值(Vz):190 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ190D2/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 144.8 V;额定稳压值(Vz):190 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ190D2E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 144.8 V;额定稳压值(Vz):190 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ190D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 144.8 V;额定稳压值(Vz):190 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ190D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 144.8 V;额定稳压值(Vz):190 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ190D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 144.8 V;额定稳压值(Vz):190 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ190DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 144.8 V;额定稳压值(Vz):190 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ190DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 144.8 V;额定稳压值(Vz):190 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管

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