| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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3EZ20
中文翻译 品牌: PANJIT |
GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON ZENER DIODES(VOLTAGE- 11 to 200 Volts Power - 3.0 Watts) 玻璃钝化结硅稳压二极管（电压 - 11至200伏电源 - 3.0瓦特） |
稳压二极管 测试 | |||
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3EZ20
中文翻译 品牌: TRSYS |
GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON ZENER DIODE 玻璃钝化结硅稳压二极管 |
稳压二极管 测试 | |||
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3EZ20
中文翻译 品牌: DIOTEC |
Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology) 硅电源-Z-二极管（非平面技术） |
二极管 齐纳二极管 测试 | ||
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3EZ20
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Zener silicon diodes 齐纳二极管芯片 |
二极管 齐纳二极管 测试 | ||
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3EZ200
中文翻译 品牌: PANJIT |
GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON ZENER DIODES(VOLTAGE- 11 to 200 Volts Power - 3.0 Watts) 玻璃钝化结硅稳压二极管（电压 - 11至200伏电源 - 3.0瓦特） |
稳压二极管 测试 IOT | |||
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3EZ200
中文翻译 品牌: TRSYS |
GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON ZENER DIODE 玻璃钝化结硅稳压二极管 |
稳压二极管 测试 IOT | |||
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3EZ200
中文翻译 品牌: DIOTEC |
Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology) 硅电源-Z-二极管（非平面技术） |
二极管 齐纳二极管 测试 IOT | ||
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3EZ200
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Zener silicon diodes 齐纳二极管芯片 |
二极管 齐纳二极管 测试 IOT | ||
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3EZ200
中文翻译 品牌: MCC |
Zener Diode, 200V V(Z), 5%, Silicon, Unidirectional, DO-15, PLASTIC PACKAGE-2 | IOT 测试 二极管 | |||
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3EZ200D/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ200D/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ200D1
中文翻译 品牌: ETC |
Silicon 3 Watt Zener Diode
硅3瓦齐纳二极管\n |
二极管 齐纳二极管 | |||
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3EZ200D10
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Zener Diode, 200V V(Z), 10%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN | 测试 二极管 | ||
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3EZ200D10
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
Zener Diode, 200V V(Z), 10%, 3W, | 测试 二极管 | |||
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3EZ200D10
中文翻译 品牌: EIC |
SILICON ZENER DIODES 硅稳压二极管 |
稳压二极管 测试 | |||
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3EZ200D10/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ200D10/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ200D10E3
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Zener Diode, 200V V(Z), 10%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-204AL, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-41, 2 PIN | 测试 二极管 | ||
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3EZ200D10E3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ200D10E3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ200D10E3TR
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Zener Diode, 200V V(Z), 10%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN | 测试 二极管 | ||
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3EZ200D10TR
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Zener Diode, 200V V(Z), 10%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN | 测试 二极管 | ||
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3EZ200D10TRE3
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Zener Diode, 200V V(Z), 10%, 3W, | 测试 二极管 | |||
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3EZ200D1E3TR
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Zener Diode, 200V V(Z), 1%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN | 测试 二极管 | ||
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3EZ200D2
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
Zener Diode, 200V V(Z), 2%, 3W, | 测试 二极管 | |||
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3EZ200D2/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ200D2/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ200D2E3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ200D2E3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ200D2TR
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Zener Diode, 200V V(Z), 2%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN | 测试 二极管 |