| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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3EZ200D/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ200D/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ200D10/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ200D10/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ200D10E3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ200D10E3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ200D2/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ200D2/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ200D2E3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ200D2E3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ200D5/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ200D5/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ200D5E3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ200D5E3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ200DE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ200DE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ20D/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 15.2 V;额定稳压值(Vz):20 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ20D10/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 15.2 V;额定稳压值(Vz):20 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ20D10E3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 15.2 V;额定稳压值(Vz):20 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ20D10E3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 15.2 V;额定稳压值(Vz):20 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ20D2/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 15.2 V;额定稳压值(Vz):20 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ20D2/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 15.2 V;额定稳压值(Vz):20 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ20D2E3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 15.2 V;额定稳压值(Vz):20 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ20D2E3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 15.2 V;额定稳压值(Vz):20 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ20D5/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 15.2 V;额定稳压值(Vz):20 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ20D5/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 15.2 V;额定稳压值(Vz):20 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ20D5E3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 15.2 V;额定稳压值(Vz):20 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ20DE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 15.2 V;额定稳压值(Vz):20 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ20DE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 15.2 V;额定稳压值(Vz):20 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ22D/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 16.7 V;额定稳压值(Vz):22 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 |