型号等于：	3EZ20 (8) 3EZ200 (5) 3EZ20D (1) 3EZ20S (1)
型号起始：	3EZ20* (140) 3EZ20-* (1) 3EZ200* (63) 3EZ20D* (67) 3EZ20S* (1)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(80) MCC(11) ETC(7) EIC(4) MOTOROLA(4) SECOS(4) SUNMATE(4) PANJIT(3) WTE(3) DIOTEC(2) GOOD-ARK(2) LGE(2) NJSEMI(2) SEMIKRON(2) SYNSEMI(2) TRSYS(2) WON-TOP(2)
功能分类：	不限测试(71) 二极管(62) 光电二极管(29) 稳压二极管(19) 齐纳二极管(21) IOT(5)

3EZ20 - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：29

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		3EZ200D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ200D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ200D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ200D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ200D10E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ200D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ200D2/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ200D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ200D2E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ200D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ200D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ200D5/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ200D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ200D5E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ200DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ200DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ20D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 15.2 V;额定稳压值(Vz):20 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ20D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 15.2 V;额定稳压值(Vz):20 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ20D10E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 15.2 V;额定稳压值(Vz):20 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ20D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 15.2 V;额定稳压值(Vz):20 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ20D2/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 15.2 V;额定稳压值(Vz):20 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ20D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 15.2 V;额定稳压值(Vz):20 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ20D2E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 15.2 V;额定稳压值(Vz):20 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ20D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 15.2 V;额定稳压值(Vz):20 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ20D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 15.2 V;额定稳压值(Vz):20 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ20D5/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 15.2 V;额定稳压值(Vz):20 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ20D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 15.2 V;额定稳压值(Vz):20 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ20DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 15.2 V;额定稳压值(Vz):20 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ20DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 15.2 V;额定稳压值(Vz):20 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管

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