型号等于：	3EZ200D1 (1) 3EZ200D2 (1) 3EZ200D3 (1) 3EZ200D4 (1) 3EZ200D5 (10)
型号起始：	3EZ200D* (58) 3EZ200D/* (2) 3EZ200D1* (13) 3EZ200D2* (8) 3EZ200D3* (4) 3EZ200D4* (5) 3EZ200D5* (23) 3EZ200DE* (2) 3EZ200DT* (1)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(37) MOTOROLA(4) ETC(3) WTE(3) EIC(2) SECOS(2) SUNMATE(2) GOOD-ARK(1) LGE(1) NJSEMI(1) SYNSEMI(1) WON-TOP(1)
功能分类：	不限测试(31) 二极管(29) 光电二极管(16) 齐纳二极管(6) 稳压二极管(5)

3EZ200D - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：16

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		3EZ200D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ200D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ200D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ200D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ200D10E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ200D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ200D2/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ200D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ200D2E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ200D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ200D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ200D5/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ200D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ200D5E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ200DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ200DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 152 V;额定稳压值(Vz):200 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管

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