型号等于：	3EZ20D (2) 3EZ20D1 (1) 3EZ20D2 (1) 3EZ20D3 (1) 3EZ20D4 (1) 3EZ20D5 (10)
型号起始：	3EZ20D* (68) 3EZ20D/* (2) 3EZ20D1* (14) 3EZ20D2* (9) 3EZ20D3* (5) 3EZ20D4* (5) 3EZ20D5* (27) 3EZ20DE* (3) 3EZ20DT* (1)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(43) MCC(9) ETC(4) EIC(2) SECOS(2) SUNMATE(2) GOOD-ARK(1) LGE(1) NJSEMI(1) SYNSEMI(1) WON-TOP(1)
功能分类：	不限测试(31) 二极管(28) 光电二极管(13) 稳压二极管(10) 齐纳二极管(11)

3EZ20D - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：13

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		3EZ20D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 15.2 V;额定稳压值(Vz):20 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ20D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 15.2 V;额定稳压值(Vz):20 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ20D10E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 15.2 V;额定稳压值(Vz):20 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ20D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 15.2 V;额定稳压值(Vz):20 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ20D2/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 15.2 V;额定稳压值(Vz):20 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ20D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 15.2 V;额定稳压值(Vz):20 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ20D2E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 15.2 V;额定稳压值(Vz):20 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ20D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 15.2 V;额定稳压值(Vz):20 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ20D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 15.2 V;额定稳压值(Vz):20 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ20D5/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 15.2 V;额定稳压值(Vz):20 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ20D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 15.2 V;额定稳压值(Vz):20 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ20DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 15.2 V;额定稳压值(Vz):20 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ20DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 15.2 V;额定稳压值(Vz):20 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管

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