型号等于：	3EZ22D (2) 3EZ22D1 (1) 3EZ22D2 (1) 3EZ22D3 (1) 3EZ22D4 (1) 3EZ22D5 (10)
型号起始：	3EZ22D* (73) 3EZ22D/* (2) 3EZ22D1* (16) 3EZ22D2* (9) 3EZ22D3* (5) 3EZ22D4* (4) 3EZ22D5* (30) 3EZ22DE* (3) 3EZ22DT* (2)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(45) MCC(9) MOTOROLA(6) EIC(2) ETC(2) SUNMATE(2) GOOD-ARK(1) LGE(1) NJSEMI(1) SYNSEMI(1) WON-TOP(1) WTE(1)
功能分类：	不限测试(31) 二极管(38) 光电二极管(11) 稳压二极管(10) 齐纳二极管(8)

3EZ22D - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：11

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		3EZ22D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 16.7 V;额定稳压值(Vz):22 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ22D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 16.7 V;额定稳压值(Vz):22 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ22D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 16.7 V;额定稳压值(Vz):22 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ22D10E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 16.7 V;额定稳压值(Vz):22 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ22D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 16.7 V;额定稳压值(Vz):22 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ22D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 16.7 V;额定稳压值(Vz):22 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ22D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 16.7 V;额定稳压值(Vz):22 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ22D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 16.7 V;额定稳压值(Vz):22 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ22D5E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 16.7 V;额定稳压值(Vz):22 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ22DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 16.7 V;额定稳压值(Vz):22 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ22DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 16.7 V;额定稳压值(Vz):22 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管

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