型号等于：	3EZ24 (8) 3EZ24D (1) 3EZ24S (1)
型号起始：	3EZ24* (97) 3EZ240* (13) 3EZ24D* (75) 3EZ24S* (1)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(42) ONSEMI(10) MCC(9) MOTOROLA(7) EIC(4) SUNMATE(4) ETC(2) LGE(2) PANJIT(2) ROCHESTER(2) SYNSEMI(2) DIOTEC(1) GOOD-ARK(1) NJSEMI(1) SEMIKRON(1) TRSYS(1) WON-TOP(1) WTE(1)
功能分类：	不限测试(44) 二极管(45) 光电二极管(11) 稳压二极管(19) 齐纳二极管(18) IOT(4) 稳压器(3)

3EZ24 - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：11

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		3EZ24D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 18.2 V;额定稳压值(Vz):24 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ24D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 18.2 V;额定稳压值(Vz):24 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ24D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 18.2 V;额定稳压值(Vz):24 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ24D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 18.2 V;额定稳压值(Vz):24 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ24D2E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 18.2 V;额定稳压值(Vz):24 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ24D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 18.2 V;额定稳压值(Vz):24 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ24D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 18.2 V;额定稳压值(Vz):24 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ24D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 18.2 V;额定稳压值(Vz):24 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ24D5E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 18.2 V;额定稳压值(Vz):24 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ24DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 18.2 V;额定稳压值(Vz):24 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ24DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 18.2 V;额定稳压值(Vz):24 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管

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