型号起始：	3EZ3.* (53) 3EZ3.3* (2) 3EZ3.6* (4) 3EZ3.9* (47)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(36) ETC(3) WON-TOP(3) EIC(2) MOTOROLA(2) WTE(2) GOOD-ARK(1) LGE(1) NJSEMI(1) SUNMATE(1) SYNSEMI(1)
功能分类：	不限光电二极管(16) 测试(17) 二极管(19) 稳压二极管(5) 齐纳二极管(4)

3EZ3. - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：19

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		3EZ3.3D5 中文翻译品牌: GWSEMI	Package : DO-41; PD (W) : 3; Vz @ IZT (Nom) : 3.3; IR (uA) : 100; VR (V) : 1;	光电二极管
		3EZ3.6D5 中文翻译品牌: GWSEMI	Package : DO-41; PD (W) : 3; Vz @ IZT (Nom) : 3.6; IR (uA) : 75; VR (V) : 1;	光电二极管
		3EZ3.6D5/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;额定稳压值(Vz):3.6 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ3.6DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;额定稳压值(Vz):3.6 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ3.9D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:80 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.9 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ3.9D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:80 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.9 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ3.9D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:80 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.9 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ3.9D10E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:80 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.9 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ3.9D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:80 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.9 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ3.9D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:80 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.9 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ3.9D2E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:80 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.9 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ3.9D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:80 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.9 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ3.9D5 中文翻译品牌: GWSEMI	Package : DO-41; PD (W) : 3; Vz @ IZT (Nom) : 3.9; IR (uA) : 80; VR (V) : 1;	光电二极管
		3EZ3.9D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:80 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.9 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ3.9D5/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:80 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.9 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ3.9D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:80 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.9 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ3.9D5E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:80 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.9 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ3.9DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:80 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.9 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ3.9DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:80 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.9 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管

Total:191

总19条记录，每页显示30条记录分1页显示。