型号等于：	3EZ30D (2) 3EZ30D1 (1) 3EZ30D2 (1) 3EZ30D3 (1) 3EZ30D4 (1) 3EZ30D5 (10)
型号起始：	3EZ30D* (66) 3EZ30D/* (2) 3EZ30D1* (15) 3EZ30D2* (9) 3EZ30D3* (4) 3EZ30D4* (4) 3EZ30D5* (25) 3EZ30DE* (3) 3EZ30DT* (2)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(40) MCC(7) ETC(4) MOTOROLA(3) EIC(2) SUNMATE(2) WTE(2) GOOD-ARK(1) LGE(1) NJSEMI(1) SYNSEMI(1) WON-TOP(1)
功能分类：	不限测试(35) 二极管(27) 光电二极管(11) 稳压二极管(11) 齐纳二极管(13)

3EZ30D - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：11

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		3EZ30D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 22.5 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ30D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 22.5 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ30D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 22.5 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ30D2/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 22.5 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ30D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 22.5 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ30D2E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 22.5 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ30D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 22.5 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ30D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 22.5 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ30D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 22.5 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ30DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 22.5 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ30DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 22.5 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管

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