型号等于：	3EZ33 (8) 3EZ33D (1)
型号起始：	3EZ33* (85) 3EZ330* (15) 3EZ33D* (62)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(37) MCC(8) MOTOROLA(8) EIC(4) ETC(4) ONSEMI(4) SUNMATE(4) LGE(2) SYNSEMI(2) DIOTEC(1) GOOD-ARK(1) NJSEMI(1) PANJIT(1) SEMIKRON(1) TRSYS(1) WON-TOP(1) WTE(1)
功能分类：	不限测试(50) 二极管(39) 光电二极管(13) 稳压二极管(16) 齐纳二极管(11) 稳压器(1)

3EZ33 - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：13

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		3EZ33D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 25.1 V;额定稳压值(Vz):33 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ33D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 25.1 V;额定稳压值(Vz):33 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ33D10E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 25.1 V;额定稳压值(Vz):33 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ33D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 25.1 V;额定稳压值(Vz):33 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ33D2/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 25.1 V;额定稳压值(Vz):33 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ33D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 25.1 V;额定稳压值(Vz):33 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ33D2E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 25.1 V;额定稳压值(Vz):33 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ33D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 25.1 V;额定稳压值(Vz):33 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ33D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 25.1 V;额定稳压值(Vz):33 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ33D5/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 25.1 V;额定稳压值(Vz):33 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ33D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 25.1 V;额定稳压值(Vz):33 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ33D5E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 25.1 V;额定稳压值(Vz):33 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ33DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 25.1 V;额定稳压值(Vz):33 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管

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