3EZ36D - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：12

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		3EZ36D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 27.4 V;额定稳压值(Vz):36 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ36D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 27.4 V;额定稳压值(Vz):36 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ36D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 27.4 V;额定稳压值(Vz):36 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ36D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 27.4 V;额定稳压值(Vz):36 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ36D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 27.4 V;额定稳压值(Vz):36 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ36D2/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 27.4 V;额定稳压值(Vz):36 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ36D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 27.4 V;额定稳压值(Vz):36 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ36D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 27.4 V;额定稳压值(Vz):36 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ36D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 27.4 V;额定稳压值(Vz):36 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ36D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 27.4 V;额定稳压值(Vz):36 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ36DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 27.4 V;额定稳压值(Vz):36 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ36DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 27.4 V;额定稳压值(Vz):36 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管

Total:121

总12条记录，每页显示30条记录分1页显示。

型号等于：	3EZ36D (2) 3EZ36D1 (1) 3EZ36D2 (1) 3EZ36D3 (1) 3EZ36D4 (1) 3EZ36D5 (11)
型号起始：	3EZ36D* (73) 3EZ36D/* (2) 3EZ36D1* (14) 3EZ36D2* (9) 3EZ36D3* (4) 3EZ36D4* (5) 3EZ36D5* (33) 3EZ36DE* (2) 3EZ36DT* (2)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(41) MCC(9) MOTOROLA(6) ONSEMI(3) EIC(2) ETC(2) SUNMATE(2) GOOD-ARK(1) LGE(1) NJSEMI(1) ROCHESTER(1) SYNSEMI(1) WON-TOP(1) WTE(1)
功能分类：	不限测试(26) 二极管(32) 光电二极管(12) 稳压二极管(10) 齐纳二极管(10) 稳压器(1)