| 型号等于： | 3EZ36D10 (6) |
| 型号起始： | 3EZ36D10* (13) 3EZ36D10/* (2) 3EZ36D10E* (4) 3EZ36D10T* (1) |
| 所属品牌： | 不限 MICROSEMI(8) EIC(1) MOTOROLA(1) |
| 功能分类： | 不限 测试(5) 二极管(4) 光电二极管(3) 稳压二极管(1) 齐纳二极管(1) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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3EZ36D10/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 27.4 V;额定稳压值(Vz):36 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ36D10/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 27.4 V;额定稳压值(Vz):36 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ36D10E3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 27.4 V;额定稳压值(Vz):36 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 |
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