型号等于：	3EZ39D (2) 3EZ39D1 (1) 3EZ39D2 (1) 3EZ39D5 (11)
型号起始：	3EZ39D* (78) 3EZ39D/* (2) 3EZ39D1* (15) 3EZ39D2* (9) 3EZ39D3* (4) 3EZ39D4* (4) 3EZ39D5* (36) 3EZ39DE* (4) 3EZ39DT* (2)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(48) MCC(9) ONSEMI(4) WTE(4) EIC(2) MOTOROLA(2) SUNMATE(2) GOOD-ARK(1) LGE(1) NJSEMI(1) ROCHESTER(1) SYNSEMI(1) WON-TOP(1)
功能分类：	不限测试(41) 二极管(33) 光电二极管(15) 稳压二极管(12) 齐纳二极管(11) 稳压器(1)

3EZ39D - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：15

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		3EZ39D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 29.7 V;额定稳压值(Vz):39 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ39D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 29.7 V;额定稳压值(Vz):39 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ39D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 29.7 V;额定稳压值(Vz):39 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ39D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 29.7 V;额定稳压值(Vz):39 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ39D10E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 29.7 V;额定稳压值(Vz):39 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ39D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 29.7 V;额定稳压值(Vz):39 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ39D2/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 29.7 V;额定稳压值(Vz):39 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ39D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 29.7 V;额定稳压值(Vz):39 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ39D2E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 29.7 V;额定稳压值(Vz):39 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ39D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 29.7 V;额定稳压值(Vz):39 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ39D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 29.7 V;额定稳压值(Vz):39 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ39D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 29.7 V;额定稳压值(Vz):39 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ39D5E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 29.7 V;额定稳压值(Vz):39 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ39DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 29.7 V;额定稳压值(Vz):39 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ39DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 29.7 V;额定稳压值(Vz):39 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管

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