型号等于：	3EZ43 (5) 3EZ47 (5)
型号起始：	3EZ4* (209) 3EZ4.* (72) 3EZ40* (11) 3EZ43* (65) 3EZ47* (61)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(99) MCC(18) MOTOROLA(18) ETC(13) EIC(10) SUNMATE(8) WTE(7) GOOD-ARK(5) LGE(5) SYNSEMI(5) NJSEMI(4) PANJIT(4) WON-TOP(4) DIOTEC(2) ONSEMI(2) SEMIKRON(2) TRSYS(2) ROCHESTER(1)
功能分类：	不限测试(145) 二极管(131) 稳压二极管(36) 齐纳二极管(29) IOT(5) 稳压器(2)

3EZ4 - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：51

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		3EZ4.3D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:30 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.3D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:30 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.3D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:30 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.3D10E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:30 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.3D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:30 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.3D2/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:30 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.3D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:30 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.3D2E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:30 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.3D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:30 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.3D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:30 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.3D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:30 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.3DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:30 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.3DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:30 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.7D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:20 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.7D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:20 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.7D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:20 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.7D10E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:20 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.7D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:20 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.7D2/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:20 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.7D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:20 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.7D2E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:20 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.7D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:20 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.7D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:20 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.7D5E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:20 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.7DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:20 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.7DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:20 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ43D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 32.7 V;额定稳压值(Vz):43 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ43D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 32.7 V;额定稳压值(Vz):43 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ43D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 32.7 V;额定稳压值(Vz):43 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ43D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 32.7 V;额定稳压值(Vz):43 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管

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