型号起始：	3EZ4.* (102) 3EZ4.3* (51) 3EZ4.7* (51)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(69) ETC(9) EIC(4) GOOD-ARK(3) ONSEMI(3) LGE(2) MOTOROLA(2) NJSEMI(2) SUNMATE(2) SYNSEMI(2) WON-TOP(2) ROCHESTER(1) WTE(1)
功能分类：	不限测试(50) 二极管(49) 光电二极管(26) 齐纳二极管(13) 稳压二极管(10) 稳压器(2)

3EZ4. - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：26

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		3EZ4.3D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:30 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.3D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:30 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.3D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:30 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.3D10E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:30 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.3D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:30 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.3D2/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:30 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.3D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:30 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.3D2E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:30 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.3D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:30 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.3D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:30 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.3D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:30 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.3DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:30 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.3DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:30 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.7D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:20 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.7D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:20 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.7D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:20 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.7D10E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:20 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.7D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:20 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.7D2/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:20 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.7D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:20 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.7D2E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:20 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.7D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:20 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.7D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:20 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.7D5E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:20 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.7DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:20 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.7DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:20 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管

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