型号起始：	3EZ4.3* (53) 3EZ4.3D* (53)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(32) ETC(5) ONSEMI(3) EIC(2) GOOD-ARK(2) GWSEMI(1) JINGHENG(1) LGE(1) NJSEMI(1) ROCHESTER(1) SUNMATE(1) SYNSEMI(1) WON-TOP(1) WTE(1)
功能分类：	不限测试(24) 二极管(24) 光电二极管(14) 齐纳二极管(7) 稳压二极管(5) 稳压器(2)

3EZ4.3 - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：14

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		3EZ4.3D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:30 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.3D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:30 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.3D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:30 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.3D10E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:30 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.3D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:30 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.3D2/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:30 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.3D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:30 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.3D2E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:30 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.3D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:30 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.3D5 中文翻译品牌: GWSEMI	Package : DO-41; PD (W) : 3; Vz @ IZT (Nom) : 4.3; IR (uA) : 30; VR (V) : 1;	光电二极管
		3EZ4.3D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:30 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.3D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:30 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.3DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:30 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ4.3DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:30 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管

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