| 型号等于： | 3EZ4.3D10 (2) |
| 型号起始： | 3EZ4.3D10* (7) 3EZ4.3D10/* (2) 3EZ4.3D10E* (2) 3EZ4.3D10T* (1) |
| 所属品牌： | 不限 MICROSEMI(5) EIC(1) |
| 功能分类： | 不限 光电二极管(4) 稳压二极管(1) 齐纳二极管(1) 测试(1) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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3EZ4.3D10
中文翻译 品牌: EIC |
SILICON ZENER DIODES 硅稳压二极管 |
稳压二极管 齐纳二极管 测试 | |||
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3EZ4.3D10/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:30 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ4.3D10/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:30 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ4.3D10E3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:30 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ4.3D10E3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:30 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 |
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