| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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3EZ4.7D/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:20 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ4.7D10/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:20 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ4.7D10/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:20 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ4.7D10E3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:20 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ4.7D10E3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:20 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ4.7D2/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:20 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ4.7D2/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:20 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ4.7D2E3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:20 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ4.7D5
中文翻译 品牌: GWSEMI |
Package : DO-41; PD (W) : 3; Vz @ IZT (Nom) : 4.7; IR (uA) : 20; VR (V) : 1; | 光电二极管 | |||
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3EZ4.7D5/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:20 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ4.7D5E3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:20 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ4.7D5E3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:20 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ4.7DE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:20 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ4.7DE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:20 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 |
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